2012年低温多晶硅(LTPS)及金属氧化物(IGZO)面板将迅速成长150%

NPD DisplaySearch上海办公室，2011年12月21日—智能手机和平板电脑爆发式成长，使得LTPS（low temperature polysilicon低温多晶硅技术）和IGZO（indium gallium zinc oxide组成的非结晶氧化物半导体技术）等生产高分辨率显示器技术更为重要。这些TFT技术采用高移动速率半导体材料以减小TFT维度，提高光穿透率。分辨率超过每英寸230像素(230 PPI)的液晶面板，如苹果的Retina Display，高光穿透率可以使能耗降到最低，使可携式设备可长时间使用而不用充电。

根据NPD DisplaySearch TFT LCD制程技术蓝图趋势报告（TFT LCD Process Roadmap Report）指出，2012年高移动速率TFT-LCD背板产量预计将提高150%，从2011年的560万平方米迅速发展到1千410万平方米。如此高成长的驱动力主要在于许多五代线和更大的低温多晶硅(LTPS)产线于2012年开始投入生产，且夏普、乐金显示和三星现有的产线也投入生产金属氧化物(IGZO)。

图一、2008-2015 LTPS和IGZO高分辨率背板的产量 （单位：千平方米）

“智能手机、平板电脑和成本降低将成为2012年平板显示产业快速发展的关键驱动力。”NPD DisplaySearch制造领域研究副总Charles Annis表示，“由于平板显示获利压力大，面板厂商转而投入快速发展的可携式应用，并积极寻求各种可降低成本的策略。因此，采用高移动速度材料背板、光配向(optical alignment)、高分辨率曝光技术(high resolution lithography)和先进的液晶模块组合预计将在明年成为最重要的生产技术。”

所有的技术都在于如何提高面板的光穿透率。一般而言只有4-9%的背光能够穿过到前端显示屏，为达亮度指标会因此要求高强度的光源；另外，背光模组是大尺寸液晶模块中成本占比较高的单一组件。因此，通过提高光穿透率，面板商就可以降低能耗和成本。

“厂商们期待真正好的新技术是能够提高光穿透率同时不降低良率。面板商和其供应商都在努力开发生产技术，力争取得竞争优势以提高2012年利润。”Annis补充到，“目前看来，像金属氧化物(IGZO)这样的技术，一方面可提高面板性能一方面可降低成本，将使面板商获取高度竞争优势，将有机会成为未来平板显示产业制造新标准。”

NPD DisplaySearch新出版TFT LCD制程技术蓝图趋势报告（TFT LCD Process Roadmap Report），报告针对FPD新进生产技术做了独到且深入的分析。报告按制造工艺流程进行技术探讨，分析工序流程和制造商采用新技术现状，对57种生产技术未来的应用进行预测并分析相应的优点、机会与挑战等。同时报告对目前到2016年液晶显示器的性能指标也做了分析预测。如需进一步的市场资料，欢迎与我们联系。以上请媒体界朋友刊登并不吝指教。

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